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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
4124
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 5641160 8GB
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