RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
3726
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link