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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2354
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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