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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
3061
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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