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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2764
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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