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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2382
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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