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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
3020
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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