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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
73
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
53
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2319
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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