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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2584
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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