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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
73
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
38
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2283
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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