RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
73
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
3434
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link