RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2144
3500
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link