RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Compara
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2144
3574
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link