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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2144
3757
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
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