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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Compara
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
76
En 51% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
76
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
1859
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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