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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2312
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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