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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2207
2665
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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