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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Compara
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Puntuación global
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2277
2605
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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