RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Compara
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2277
2271
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link