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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Compara
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2277
2739
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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