RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2792
2379
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link