RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2382
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link