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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1769
2880
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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