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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Compara
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.1
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2279
2046
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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