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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2279
2323
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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