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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2279
2179
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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