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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Compara
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
7.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1798
2969
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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