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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Compara
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
40
Velocidad de lectura, GB/s
7.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1798
2100
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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