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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2658
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX21334D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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