RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3171
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link