RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2731
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link