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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3017
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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