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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3260
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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