RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2382
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link