RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2701
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link