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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3264
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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