RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3660
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link