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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3829
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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