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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
63
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2162
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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