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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
3023
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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