RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
3318
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kllisre 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link