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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
2417
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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