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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
30
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
2623
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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