RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
47
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
2308
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link