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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Compara
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
70
En -180% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.5
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1264
3413
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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