RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
2419
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link