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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
69
En -245% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
20
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
2414
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24SB8GH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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