RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
35
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
2672
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link