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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
69
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
3075
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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