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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Compara
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
3317
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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